سیم های نانو ، امروز یکی از رویاهای دیرینه در زمینه ی تجهیزات انتقال برق و الکترونیک به لطف تحقیقات انجام شده به وسیله ی یک گروه از دانشمندان دانشگاه Bar-Ilan در اسرائیل،به واقعیت تبدیل شده است.این تحقیق توسط دپارتمان انرژی ایالات متحده در ازمایشگاه ملی Brookhaven پشتیبانی شد.تولید سیم های نیمه رسانای نانو برای ارائه ی دستگاه های سریعتر و پرقدرتتر یک رویای دیرینه بوده که دستیابی به آن تا الان دور از دسترس بوده است.
تا امروز نیاز بود که اندازه ی طول چسبندگی ابر رساناها خیلی بزرگ باشد و سیم های نانو خیلی نازک نمیتوانستند ابر رساناهای موفقی باشند.ولی این تحقیق نشان داده که طول های چسبندگی با اندازه ی کوچک میتواند به شکلی موفقیت آمیز هم در درون ابر رساناهای اکسید مسی لایه لایه و هم در خارج از صفحه استفاده شوند و طول چسبندگی حتی کمتر هم باشد.نکته ی دیگر این است که آنها میتوانند در محیطهای گرمتر هم کار کنند و هزینه های پروسه خنک کردن را تعدیل کنند.
تیم بروک هون سعی کرد که یک ابر رسانایی مشابه را درون یک ماده فیلم نازک به وسیله قلمزنی الگوی سیم ها و ایجاد فیلمهای نازک ابر رسانای لایه لایه به وجود آورد.با استفاده از سیم های نانو هم بافتی پرتو مولکولی آنها در حال ساخت یک ماده ساخته شده از لایه های اکسید مسی جایگزین و لانتالوم و استرونیتوم هستند.این تکنیک قبلا به شکل موفقیت آمیزی برای ساخت فیلم های نازک با قابلیت رسیدن به ابر رسانایی درون یک لایه از اکسید سیم،مورد استفاده قرار گرفته بود.
سیم های نانو ، این گروه هزاران حلقه را در یک الگو با استفاده از حکاکی پرتوی الکترونی،”قلم زد”.همه ی این حلقه ها از “سیم های نانو”فقط ۲۵ نانو متر قطر و ۵۰۰-۱۵۰ نانومتر طول داشتند.این آرایه ها با الگوی حلقه تا دمای زیر ۲۰ کلوین سرد شدند و به شکل ابر رسانا در آمدند که به وسیله مقاومت الکتریکی نشان داده شده توسط آرایه ها نشان داده شدند.آنها سعی کردند که بفهمند چگونه مقاومت حلقه با میدان های مغناطیسی خارجی تغییر میکنند.

ویژگی دیگری که در سیم های نانو مورد توجه قرارگرفت و باعث خشنودی دانشمندان شد این واقعیت است که یک تغییر از نوع نوسانی در مقاومت همراه با معرفی میدان مغناطیسی خارجی وجود داشت.فرکانسهای نوسانی بسیار بزرگ به بخشهای مختلف میدان مغناطیسی که روی حلقه اعمال میشدند،مربوط شد.
فیزیکدان آزمایشگاه بروک هون آقای بوشوویچ میگوید:”یک ماده با یک شکل مقاومت مغناطیسی مجزا و قابل تغییر-به خصوص از حالت ابر رسانایی به حالت غیر ابر رسانایی-میتواند به شدت در مهندسی دستگاه های جدید، مفید باشد.”ایوان بوزوویچ و تیم او-که در نتیجه همکاری آلمان-اسرائیل بود-به وسیله موسسه تحقیقاتی آلمان حمایت مالی شد و یک کمک هزینه تحقیقاتی از سوی وزارت علوم اسرائیل به آن اعطا شد.
این تحقیق میتواند ما را به درک مکانیزم بهتر ابر رسانایی سوق دهد و این خود باعث طراحی های پیشرفته تر مواد جدید برای بسیاری از کاربردهای عملی دیگر میشود.